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高通骁龙830将采用10nm制造工艺:明年年初发布
2016-07-29 13:47  牛华网  巧艳 编译  我要评论()
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骁龙830

【牛华网讯】北京时间7月29日消息,也许,现在谈论骁龙830还有些为时尚早。一般来讲,高通的旗舰级处理器会在每年的年初发布,例如骁龙830就是在今年3月份随智能手机一起上市的。因此,骁龙830很有可能也会在2017年的3月份到来。近日,高通CEO史蒂夫·莫伦科夫(Steve Mollenkopf)在接受采访时暗示,骁龙830将会10nm工艺制造。

当前的旗舰级芯片,例如高通骁龙820和三星Exynos 8890都采用14nm工艺制造,这也就意味着它们与骁龙830的内部部件会存在一些差异,包括晶体管、电阻器和电容器等,它们都采用14nm工艺制造。

从理论上来讲,采用10nm工艺制造将会节省更多的空间,也会让芯片的体积更小。

骁龙830  1

当前,高通的主要竞争对手——联发科,正在生产名为Helio X30的十核心芯片,它采用的也是10nm制造工艺。

传闻称,骁龙830将采用10nm FinFET制程工艺和Kyro 200架构,搭载Adreno 540、X16基带,据称它的下载速度高达980Mbps,并拥有LPDDR4X内存和4K x 2K/60fps视频录制,将实现性能和功能的双提升。

根据预计,三星Galaxy S8将于明年2月份的移动世界大会(MWC)中亮相,它很有可能会成为首款搭载骁龙830的智能手机。(完)

新闻热线:010-68947455

关键词: 高通 骁龙830

责任编辑:许巧艳

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